[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-14] Effects of Ion Beam Conditions on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC

〇(B)Takuma Narahara^1,2, Shinichiro Sato², Yasuto Hijikata¹, Takeshi Oshima² (1.Saitama Univ., 2.QST)

Keywords:Silicon Carbide, Nitrogen-Vacancy Center

炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生命科学や医療分野における量子計測・センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待されている。NcVsiはイオン照射と熱処理によって形成される。本研究では、点欠陥の導入に様々なイオン種を用いた場合の依存性を調べ、NcVsi-の形成条件や形成量の制御方法の解明を試みた。その結果、イオンビームの質量数が増加すると、少ないイオン照射量でPL積分強度が最大となることが分かった。