[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-15] Influence of gamma ray irradiation on creation and luminescence properties of
SiC surface color center

〇Yuichi Yamazaki¹, Hiroki Tsunemi^1,2, Shin-ichiro Sato¹, Yasuto Hijikata², Takeshi Ohshima¹ (1.QST, 2.Saitama Univ.)

Keywords:SiC, single photon source, gamma ray irradiation

炭化ケイ素(SiC)半導体の発光中心の一つである表面SPS(単一光子源)について、γ線照射に伴う界面変化(界面準位・酸化膜固定電荷の増加等)が表面SPS生成量・発光特性に与える影響について調べた結果、発光スポットおよびスポットあたりの平均輝度が増加していることがわかった。より詳細な光学特性評価結果も踏まえた考察を行う。