The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[11p-M136-1~14] 13.3 Insulator technology

Mon. Mar 11, 2019 1:15 PM - 5:15 PM M136 (H136)

Takanobu Watanabe(Waseda Univ.), Koji Kita(Univ. of Tokyo), Kiyoteru Kobayashi(Tokai Univ.)

4:30 PM - 4:45 PM

[11p-M136-12] Oxidation mechanism and film properties of GeO2 oxidized in high-pressure O2

Xu Wang1, Tomonori Nishimura1, 〇Akira Toriumi1 (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:germanium

Geの高圧酸化機構について実験結果に基づいて議論し、形成されたGeO2膜の性質について大気圧酸化の場合と比較して議論する。