[11p-M136-1~14] 13.3 Insulator technology

[11p-M136-5] Atom-Probe Observation of Oxidation-Enhanced Self-Diffusion in Isotopically Modulated Silicon Nanopillars

〇Ryotaro Kiga¹, Sayaka Hayashi¹, Satoru Miyamoto¹, Yasuo Shimizu², Yasuyoshi Nagai², Tetsuo Endoh^3,4, Kohei Itoh¹ (1.Keio Univ., 2.IMR Tohoku Univ., 3.CIES Tohoku Univ., 4.JST-ACCEL)

Keywords:silicon, diffusion, atom probe

超低消費電力で且つ高度集積化可能なデバイス構造として，縦型BC-MOSFETの研究開発が進められている．シリコンナノピラー周囲にゲート酸化膜を形成するためのプロセスモデリングには，シリコンナノ構造中の自己拡散の理解が欠かせない．本研究では，3次元アトムプローブ法をドライ酸化したSi同位体ピラーに適用し，ピラー構造中で酸化増速されたシリコン自己拡散現象を実験的に検証する．