[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-21] GaNスイッチング回路の放射電磁界計測による寄生素子抽出

〇井手 利英^1,2、大森 幹夫²、清水 三聡¹、高田 徳幸² (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 電子光)

キーワード：GaN、スイッチング、寄生素子

GaNデバイスを用いてスイッチング回路の周波数を向上させると受動部品の小型化などのメリットを享受できる反面、配線の寄生インダクタンス成分によるノイズ等が回路誤動作を引き起こすため無視できなくなる。これまで我々はGaNスイッチング回路の放射電磁界からノイズ等の原因となる寄生素子を抽出する方法について報告してきた。本研究では、前回よりも回路電圧の高い200V級GaNスイッチング回路において放射電磁界からの寄生インダクタンスについて調べたので報告する。