[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-6] Control of plasma-induced damage of n-type GaN treated by slope-down-bias ICP-RIE

〇Shinji Yamada^1,2,3, Hideki Sakurai^1,2,3, Masato Omori¹, Toshiyuki Nakamura³, Ryuichiro Kamimura³, Jun Suda^1,2, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, ICP-RIE

窒化ガリウム (GaN) 系パワー半導体デバイスを実現する上で、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング (ICP-RIE) を用いた低ダメージドライエッチング技術を確立することは不可欠である。今回、エッチングバイアスパワーを連続的に低減させるスロープダウンバイアスエッチング技術を検討し、低ダメージ化への効果をn型GaNを用いて評価した。