[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-1] Comparison between GaCl-O₂-N₂ and GaCl₃-O₂-N₂ systems in ε-Ga₂O₃ Vapor Phase Epitaxy

〇Mayuko Sato¹, Nao Takekawa¹, Hisashi Murakami¹, Yoshinao Kumagai¹ (1.Tokyo University of Agriculture and Technology)

Keywords:Gallium Oxide, metastable phase, HVPE

我々は、水素フリーのハライド気相成長法（HVPE法）を用いたβ-Ga₂O₃の高純度かつ高速成長および、不均化反応を用いて生成したGaCl₃を原料としたε-Ga₂O₃成長を行ってきた。今回GaClとCl₂の反応で制御して生成したGaCl₃を用いたトリハライド気相成長法（THVPE法）によるε-Ga₂O₃成長を試み、HVPE法との比較を行った。その結果、THVPEでは粉体を抑制し透明なε-Ga₂O₃膜を得られることが分かった。