[11p-S222-1~13] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[11p-S222-7] Al₂O₃ barrier film growth at room temperature by ALD with active species from high purity ozone gas

〇Naoto Kameda¹, Toshinori Miura¹, Yoshiki Morikawa¹, Mitsuru Kekura¹, Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.Meidensha corp., 2.AIST)

Keywords:ozone oxide film, CVD or ALD at room temperature, barrier film

室温成膜技術は、耐熱性の低いフレキシブル基板上の有機EL デバイス作製プロセス等に必
要である。特にAl₂O₃ 膜は、水蒸気等からデバイスを保護するバリア膜として注目されている。
我々は前回までに高純度オゾン（O₃）とエチレン（C₂H₄）ガスの反応による大量のOH ラジ
カル生成技術をCVD に適用し、室温でのSiO₂ 成膜に成功した。今回、同技術をALD プロセ
スに展開して室温でのAl₂O₃ 成膜を試みたので報告する。
当日はAl₂O₃膜のバリア性（水蒸気透過度）、電気的特性等の膜質を報告する予定である。