[11p-W351-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [11p-W351-3] MPB property of PZT epitaxial thin films fabricated by RF magnetron sputtering

〇(M1C)Ryuta Noda^1,2, Takahiro Shimidzu^1,2, Kiyotaka Wasa⁴, Takahiko Yanagitani^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST PRESTO, 4.Yokohama City Univ.)

Keywords:PZT, MPB

バルクPZTの電気機械結合係数k₃₃はMPB付近で最大になることが知られており，アクチュエータやセンサなど様々なデバイスに応用されている．しかしながら我々のグループがスパッタ法で作製したPbTiO₃エピ膜のk_tは，再現性良くMPB付近のPZTエピ膜よりも高くなる．さらにバルクのキュリー温度を大きく超えた550℃付近でも圧電性を維持することも発見しており，バルクとスパッタエピ膜では特性が異なることがわかっている．そこで本研究では，様々な組成のPZTエピ膜をスパッタ法により作製し，それぞれの格子定数，誘電率，電気機械結合係数，抗電界を評価した．