[11p-W351-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[11p-W351-8] Oxygen Vacancy Defects of BiFeO₃ with Plasma Process and Electrical Properties

〇Fuminobu Imaizumi¹, Rikuto Nakada¹ (1.NIT, Oyama College)

Keywords:ferroelectric material

鉛を含まない強誘電体材料であるBiFeO₃薄膜が注目されているが、デバイスへの応用を検討した際に、薄膜では酸素欠損が存在し、十分な強誘電体の電気的特性が得られないことが知られている。本研究では、成膜後の処理としてアルゴンと酸素の混合ガスを用いてプラズマ生成し、酸素ラジカルをBiFeO₃薄膜上に照射することにより、酸素欠損を回復することに成功した。