[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-2] ダイヤモンド基板上へのスパッタAlN成膜と高温アニール

〇白土 達也¹、林 侑介²、上杉 謙次郎³、正直 花奈子⁴、三宅 秀人^2,4 (1.三重大工、2.三重大院地域イノベ、3.三重大地域創生戦力企画室、4.三重大院工)

キーワード：AlN、ダイヤモンド、スパッタリング

ダイヤモンドは5.5 eVのバンドギャップと高い正孔導電性を活かしてパワーデバイスへの応用が期待されている。AlGaNは深紫外LEDやHEMT等のデバイス研究が行われているが、低抵抗p型形成が課題である。両材料の利点を組み合わせることで、導電性制御を可能にしたデバイス形成が期待できる。本研究では、スパッタと高温アニールを組み合わせたAlN膜の作製により、従来よりも高い結晶性のAlN膜をダイヤモンド基板上に作製することに成功した。