13:45 〜 14:00
[11p-W541-2] ダイヤモンド基板上へのスパッタAlN成膜と高温アニール
キーワード:AlN、ダイヤモンド、スパッタリング
ダイヤモンドは5.5 eVのバンドギャップと高い正孔導電性を活かしてパワーデバイスへの応用が期待されている。AlGaNは深紫外LEDやHEMT等のデバイス研究が行われているが、低抵抗p型形成が課題である。両材料の利点を組み合わせることで、導電性制御を可能にしたデバイス形成が期待できる。本研究では、スパッタと高温アニールを組み合わせたAlN膜の作製により、従来よりも高い結晶性のAlN膜をダイヤモンド基板上に作製することに成功した。