The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Munetaka Arita(Univ. of Tokyo), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Atsushi Kobayashi(Univ. of Tokyo)

3:00 PM - 3:15 PM

[11p-W541-7] c-plane AlN on a-plane sapphire fabricated by sputtering and high temperature annealing

Yusuke Hayashi1, Kaito Fujikawa2, Kenjiro Uesugi3, Kanako Shojiki2, Hideto Miyake1,2 (1.Grad. School of RIS, Mie Univ., 2.Grad. School of Eng., Mie Univ., 3.SPORR, Mie Univ.)

Keywords:AlN, sputtering

AlNを成膜するサファイア基板にはc面を用いることが主流であり、格子不整合に起因してAlNとサファイアのm軸が30度傾くことが知られている。これに対し、a面サファイア基板上ではc面AlNとm軸が平行になりうることが報告されており、結晶配向のtwistゆらぎ成分が低減できることや、劈開法でレーザ反射鏡を作製できるなどの利点が予想される。そこで、本研究では、a面サファイア(a-Sap)上c面AlN(c-AlN)に着目し、スパッタ法と高温アニールで高品質なAlNテンプレートを作製したので報告する。