[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-7] スパッタ法と高温アニールによるa面サファイア上c面AlNの作製

〇林 侑介¹、藤川 海人²、上杉 謙次郎³、正直 花奈子²、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工、3.三重大地域創生戦略企画室)

キーワード：AlN、スパッタ

AlNを成膜するサファイア基板にはc面を用いることが主流であり、格子不整合に起因してAlNとサファイアのm軸が30度傾くことが知られている。これに対し、a面サファイア基板上ではc面AlNとm軸が平行になりうることが報告されており、結晶配向のtwistゆらぎ成分が低減できることや、劈開法でレーザ反射鏡を作製できるなどの利点が予想される。そこで、本研究では、a面サファイア(a-Sap)上c面AlN(c-AlN)に着目し、スパッタ法と高温アニールで高品質なAlNテンプレートを作製したので報告する。