[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11p-W641-13] 中性粒子ビームによるGe Fin構造の側壁エッチング特性の検討

〇(PC)大堀 大介¹、野田 周一²、藤井 卓也¹、水林 亘²、遠藤 和彦^1,2、Lee En-Tzu¹、Li Yiming³、Lee Yao-Jen⁴、尾崎 卓哉¹、寒川 誠二^1,2,5 (1.東北大流体研、2.産総研、3.NCTU、4.NDL、5.東北大AIMR)

キーワード：ゲルマニウムFin構造、中性粒子ビームエッチング

新たなトランジスタ構造として3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が盛んに研究されており、さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで高性能化が期待されている。しかしながら、Ge Finチャネル形成はSiのエッチング反応と比較してそのエッチングメカニズムが詳細に議論されていない。そこで本研究では従来のプラズマエッチングと中性粒子ビームエッチングを比較することで、Fin構造の形成に必要不可欠な高い垂直性を実現するためのメカニズムを明らかにした。