[11p-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [11p-W641-12] Corrosive behavior of Y-O-F system ceramics under CHF₃/O₂ plasma

〇Kenji Miyashita¹, Toru Tsunoura¹, Katsumi Yoshida¹, Toyohiko Yano¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:plasma etching, yttrium oxyfluoride

半導体製造プロセスでは、プラズマプロセス中に部材の腐食により生じる粒子状汚染が課題となっている。本研究では、新奇耐食材料としてY-O-Fセラミックスに着目し、CHF₃およびO₂プラズマによる照射挙動を評価した。Y-O-Fセラミックスはイットリアと同程度のスパッタリングレートを示し、特にY₅O₄F₇セラミックスはプラズマ照射による表面粗さの増大がイットリアよりも抑制される良好な耐食性を示した