[11p-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[11p-W641-13] Investigation of Side-wall Etching for Germanium Fin Strcutre by Neutral Beam Etching

〇(PC)Daisuke Ohori¹, Shuichi Noda², Takuya Fujii¹, Wataru Mizubayashi², Kazuhiko Endo^1,2, En-Tzu Lee¹, Yiming Li³, Yao-Jen Lee⁴, Takuya Ozaki¹, Seiji Samukawa^1,2,5 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIST, 3.NCTU, 4.NDL, 5.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:germanium fin structure, neutral beam etching

新たなトランジスタ構造として3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が盛んに研究されており、さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで高性能化が期待されている。しかしながら、Ge Finチャネル形成はSiのエッチング反応と比較してそのエッチングメカニズムが詳細に議論されていない。そこで本研究では従来のプラズマエッチングと中性粒子ビームエッチングを比較することで、Fin構造の形成に必要不可欠な高い垂直性を実現するためのメカニズムを明らかにした。