[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-W641-2] コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプラズマ誘起ダメージ構造の解析

〇久山 智弘¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、等価並列コンダクタンス、窒化シリコン薄膜

プラズマによる欠陥形成がデバイス特性へ与える影響を理解するには，欠陥量やそのエネルギー準位など，欠陥の詳細構造を明らかにすることが重要である．今回我々は，プラズマ曝露されたSiN膜のダメージ層とバルク層が分離された構造を等価回路で表現し，欠陥を反映するダメージ層のコンダクタンス（Gp）を測定した．講演では，特定の直流印加電圧に対して現れたGp/ωピーク面積から，欠陥の面密度とエネルギー準位を解析した結果を報告する．