[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11p-W641-9] フッ素原子を含むイオンによるエッチング反応

〇唐橋 一浩¹、伊藤 智子¹、橋本 惇一²、大村 光広²、林 久貴²、浜口 智志¹ (1.阪大院工、2.東芝メモリ（株）)

キーワード：エッチング、シリコン、フッ素