[12a-M121-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12a-M121-1] Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with a Guard Ring Fabricated by Using Nitrogen-Ion Implantation (II)

〇Chiahung Lin¹, Yohei Yuda², Man Hoi Wong¹, Mayuko Sato³, Nao Takekawa³, Keita Konishi³, Tatsuro Watahiki², Mikio Yamamuka², Hisashi Murakami³, Yoshinao Kumagai³, Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Mitsubishi Electric Corp., 3.Tokyo Univ. of Agri. & Tech.)

Keywords:Ga2O3, field-plated Schottky barrier diode, guard ring

我々は、窒素イオン注入 (N⁺⁺) ドーピングにより、縦型Ga₂O₃フィールドプレートショットキーバリアダイオード(FP-SBD)にガードリング(GR)構造を追加した。FPとGRエッジ終端構造２つを併用することで、特性オン抵抗5 mΩ∙cm²、耐圧1.4 kVの優れた特性を有する、縦型 Ga₂O₃ SBDを作製することに成功したので報告する。