[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-15] Electronic band structures of α-Ir₂O₃

〇Yuichi Ota¹ (1.TIRI)

Keywords:Ir2O3, Oxide semiconductor, First principles calculation

密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算によってα-Ir₂O₃のバンド構造を計算した。バルク状態のα-Ir₂O₃は間接遷移型のバンド構造であることを明らかにした。また、a,b軸の格子定数をα-Ga₂O₃にすると、すなわち圧縮歪を与えるとVBMやCBMの位置が変わることを見出した。