[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12a-W641-12] ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングを用いたTiN成膜プロセスにおける基底状態の窒素原子密度計測

〇(M1)中村 将之¹、竹田 圭吾¹、太田 貴之¹ (1.名城大理工)

キーワード：ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング、窒素原子、窒化チタン

TiNハードコーティング応用を目指して，N₂/Ar ガス下におけるTi - HiPIMSプラズマ中の基底状態N原子密度計測を，マイクロホローカソード光源を用いた真空紫外吸収分光法により行った．ターゲットに印加するパルス電圧を増加させると，光吸収率，すなわちN原子密度は電源電圧の増加に伴いほぼ比例的に増加し，N₂分子の解離が進むことが示唆された．