[12a-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12a-W641-8] Verification of Absolute Temperature of Noncontact Temperature Measurement of Silicon Wafer with Back Surface Temperature Measurement Using Thermocouple

〇(M1)Asaki Kameda¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Temperature measurement, Activation, Annealing

これまでに我々は, 熱プラズマジェット(TPJ)照射によるミリ秒急速熱処理において石英およびシリコンウェハの昇降温特性を非接触測定する技術について報告してきた. 本研究では, 非接触温度測定で得られた実時間温度変化が実際の温度変化と整合しているか検証するため、熱電対を用いたシリコンウェハ裏面温度の同時測定を行った