[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-9] ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性

〇村瀬 亮介¹、前田 拓也²、鐘ヶ江 一孝²、堀田 昌宏^1,2,3、須田 淳^1,2,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：障壁高さ、ショットキー、ダイオード

Au、Pt、Pdショットキー金属を用いてn-GaN SBDを作製し、I-V測定及びC-V測定により障壁高さの温度係数を評価したので報告する。220 K～370 Kの温度域において、Au SBDの障壁高さの温度係数は、先行研究であるNi SBDの温度係数とほぼ同一であった。一方、Pt SBD及びPd SBDの障壁高さの温度変化はNi SBD及びAu SBDに比べて非常に小さく、この結果の解釈に関しては、求めた障壁高さの信頼性も含めて今後さらなる検討が必要である。