[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-13] Radiation response of 4 H-SiC JFETs in in high dose region

〇Akinori Takeyama¹, Keigo Shimizu², Takahiro Makino¹, Yuichi Yamazaki¹, Takeshi Ohshima¹, Shin-ichiro Kuroki³, Yasunori Tanaka² (1.QST, 2.AIST, 3.RNBS, Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, JFET, radiation response

炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET)に室温で⁶⁰Coガンマ線を2.2 MGyまで照射し、電気特性の変化を調べた。その結果、ドレイン電流-ゲート電圧(I_D-V_G)特性やしきい値電圧(V_th)に顕著な変化は見られず、この程度の線量ではSiC JFETの特性がほぼ変化しないことを明らかにした。発表では、さらに高線量域の実験結果について報告する。