[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-8] Distinguishing nitrogen-containing sites in SiO₂/SiC by X-ray absorption spectroscopy

〇Noritake Isomura¹, Katsuhiro Kutsuki¹, Keita Kataoka¹, Yukihiko Watanabe¹, Yasuji Kimoto¹ (1.Toyota CRDL)

Keywords:SiC-MOSFET, interface, nitrogen

X線吸収微細構造（X-ray Absorption Fine Structure: XAFS）分析は、着目原子周辺の局所構造を得ることができる手法である。これをSiO₂/SiC界面の分析に適用することにより、界面の窒素サイトを特定する。窒素サイトの特定は、様々なサイトを想定してシミュレーションにより求めたスペクトルと比較することにより行った。本研究では、SiO₂/SiC界面における窒素サイトの特定を試みると共に、NOアニール前のドライ酸化の有無による違いについても調べた。