[9a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[9a-W541-11] Relationship between reverse leakage current of p-n diodes on GaN free-standing substrate and impurities present on nanopipe surface

〇Shigeyoshi Usami¹, Atsushi Tanaka^2,3, Hayata Fukushima¹, Yuto Ando¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.ARC, 5.VBL)

Keywords:III-Nitrides, p-n diodes, Nanopipe

本講演では、GaN自立基板上縦型pnダイオードで観察されるリークに関係するナノパイプとリークに関係しないナノパイプの差をナノパイプ壁面の不純物に着目し、STEM-EDS分析により不純物の寄与を明らかとするものである。