[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9p-M121-10] Characterization of on-state breakdown voltage in AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Gate Field Plate

〇(M1C)Takashi Nishitani¹, Ryota Yamaguchi¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:GaN, MOS, Field Plate

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性をもつ次世代のパワー半導体として期待されている。我々はゲート電極にフィールドプレート(FP)構造を導入することにより、電流コラプスを抑制できることを報告してきた。またFPを用いることによるオフ耐圧向上は各所で報告されているが、オン耐圧に関する詳細な評価はなされていない。本研究ではFP構造をもつAlGaN /GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびオン耐圧特性を検討したので報告する。