The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Sat. Mar 9, 2019 2:00 PM - 5:45 PM M121 (H121)

Kozo Makiyama(Fujitsu Lab.)

4:15 PM - 4:30 PM

[9p-M121-9] The effect of interface state on channel mobilty in GaN lateral MISFET

Yuto Ando1, Tohru Nakamura2, Manato Deki2, Shigeyoshi Usami1, Atsushi Tanaka2,3, Hirotaka Watanabe2, Maki Kushimoto1, Shugo Nitta2, Yoshio Honda2, Hiroshi Amano2,3,4,5 (1.Dept. of Elec., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.ARC, Nagoya Univ., 5.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, MISFET, interface states

窒化ガリウム(GaN)パワーMISFET において,導通損失を物性限界に近づけるためゲート絶
縁膜/GaN 界面におけるチャネル移動度の向上が必須である.Si MOSFET においてチャネル
でのキャリアの散乱要因は,ゲート電極から印可されるチャネルに対して垂直の実効電界強
度Eeff あるいは表面電子濃度Ns に依って異なることが知られている.以前我々はAl2O3/GaN
蓄積チャネル横型MISFET における実効チャネル移動度μeff の成分分離を行い,低電界領域
でのCoulomb 散乱を受けた移動度成分μCoulomb がSi MOSFET と同様Ns のべき乗に比例するこ
とを報告した.本研究ではμCoulomb への界面準位密度Dit の影響の解明を目的とする.