[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-4] ストライプELO自立GaN基板上p-n接合ダイオード

〇太田 博¹、浅井 直美¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：GaN p-nダイオード、ストライプELO基板、低貫通転位密度

貫通転位密度(TDD) に面内分布を有するストライプELO基板を用いてTDDの高い領域と低い領域(200 mm周期)上にp-n接合ダイオードを試作し素子特性を評価した。ダイオードのアノード電極が高TDD領域に入っている割合による耐圧の変化を評価した結果、低TDD領域に作られたダイオードはバラつきが少なく設計耐圧に近いものが得られた。一方、高TDD領域のものはばらつきが拡大した。