[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9p-M121-9] GaN横型MISFETチャネル移動度に対する界面準位の影響

〇安藤 悠人¹、中村 徹²、出来 真斗²、宇佐美 茂佳¹、田中 敦之^2,3、渡邉 浩崇²、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)

キーワード：GaN、MISFET、界面準位

窒化ガリウム(GaN)パワーMISFET において，導通損失を物性限界に近づけるためゲート絶
縁膜/GaN 界面におけるチャネル移動度の向上が必須である．Si MOSFET においてチャネル
でのキャリアの散乱要因は，ゲート電極から印可されるチャネルに対して垂直の実効電界強
度Eeff あるいは表面電子濃度Ns に依って異なることが知られている．以前我々はAl2O3/GaN
蓄積チャネル横型MISFET における実効チャネル移動度μeff の成分分離を行い，低電界領域
でのCoulomb 散乱を受けた移動度成分μCoulomb がSi MOSFET と同様Ns のべき乗に比例するこ
とを報告した．本研究ではμCoulomb への界面準位密度Dit の影響の解明を目的とする．