[9p-PA4-1~30] 6.3 Oxide electronics

[9p-PA4-22] Effects of sputtering rf power and He dilution on electrical properties of Al-doped ZnO films against radial directions

〇Toshiki Suwa¹, Satoru Imaizumi¹, Kazuki Tsuda¹, Tadashi Nakamura¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:radial direction, He dilution, Al-doped ZnO

AlドープZnO薄膜は低い抵抗率(≦10^-3Ωcm)と可視光領域(400 ~ 800 nm)における約80%の光透過率を有することから透明導電膜の材料として注目されているが, マグネトロンスパッタにおける導電性の径方向不均一性が問題視されている. 本研究では, RFマグネトロンスパッタを用いてAZO薄膜を堆積する際に, スパッタガスとしてArガスに加えてHeガスを導入することにより, 基板へ入射する高エネルギー粒子に起因するダメージを低減し抵抗率の径方向分布を改善することを目的とした.