[9p-W371-1~16] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[9p-W371-11] Temperature dependence of mobility for single crystal of Bismuth wire

〇(DC)Otsuka Mioko^1,2, Taichi Arisaka¹, Ryo Shinozaki¹, Hiroyuki Morita^1,3, Yasuhiro Hasegawa¹ (1.Saitama Univ., 2.JSPS DC1, 3.SAITEC)

Keywords:bismuth, carrier mobility

マイクロスケールの直径を有するBiワイヤー（BiMW）は低温領域において正の温度係数が急激に上昇することが報告されており、一定の正の温度係数を有するバルクBiとは、大きく異なる性質を有する。過去の報告では、接触抵抗を含む2端子法によってのみ測定が行われていたため、2キャリヤの移動度温度依存性を実測することが不可能であり、正の温度係数の上昇の原因は特定できないでいた。そこで、本研究では、Biを直径1.9 μm, 長さ1,544 µmのワイヤー状に加工したBiMWを対象に、4端子法で20-300 Kの温度領域で電気抵抗率、ゼーベック係数、およびホール係数を測定し、多結晶における2キャリヤモデルを用いてホールおよび電子の移動度温度依存性を明らかにした。