[9p-W371-1~16] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [9p-W371-7] Si ナノピラー構造の間隔制御することによる フォノン場制御とキャリア輸送特性性に与える影響

〇(PC)大堀 大介¹、久保山 英哲⁴、村田 正行³、山本 淳³、野村 政宏⁵、遠藤 和彦^1,3、寒川 誠二^1,2,3 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大、5.東大生研)

キーワード：熱伝導率異方性、Siナノピラー、中性粒子ビーム

センサ用自立電源では、低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている。しかしながら、ナノ材料を焼結し形成するために、材料特性のばらつきが大きく再現性を得ることが困難であるという問題がある。本研究では、間隔を制御した無欠陥SiナノピラーをSiGeで埋め込むことで起こる、熱伝導率異方性とキャリア輸送特性に与える影響を検討した。