The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

1 Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology » 1.6 Ultrasonics

[9p-W834-1~12] 1.6 Ultrasonics

Sat. Mar 9, 2019 1:15 PM - 4:30 PM W834 (W834)

Shoji Kakio(Univ. of Yamanashi), Jun Kondoh(Shizuoka Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[9p-W834-7] High quality ScAlN films grown by using arc-melted and sintered ScAl alloy target sputtering

Ningrui Bai1,2, Rei Karasawa1,2, Shinji Takayanagi4, Makoto Imakawa5, Keisuke Morisaka5, Yu Suzuki5, Takahiko Yanagitani1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST PRESTO, 4.Nagoya Inst. Tech., 5.FURUYA METAL CO., Ltd.)

Keywords:ScAlN, piezoelectric thin film

アーク溶融合金ターゲット、焼結合金ターゲットおよびSc粒を用いて、スパッタ法で3種類のScAlN薄膜を作製し、結晶性と圧電性を評価した。​アーク溶融合金、焼結合金、Sc粒で作製した薄膜のkt2はそれぞれ22.0%、20.1%、14.7%であった。​アーク溶融合金と焼結合金ターゲットで成膜したScAlN薄膜は、従来のSc粒を使ったものに比べてkt2が高い値となった。また、焼結合金とアーク溶融合金は同じ程度のkt2値となった。