一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:30 〜 09:45
〇塩島 謙次1、田中 亮2、高島 信也2、上野 勝典2、江戸 雅晴2 (1.福井大院工、2.富士電機)
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09:45 〜 10:00
〇太田 博1、浅井 直美1、吉田 丈洋2、堀切 文正2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大学、2.サイオクス)
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10:00 〜 10:15
〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
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10:15 〜 10:30
〇内田 昌宏1,2、川角 優斗2、西村 一巳1、渡邉 則之2、塩島 謙次2 (1.NTT-AT、2.福井大院工)
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10:30 〜 10:45
〇廣木 正伸1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1 (1.NTT物性研)
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11:00 〜 11:15
〇(M2)松田 陵1、堀切 文正2、福原 昇2、成田 好伸2、吉田 丈弘2、三島 友義3、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)
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11:15 〜 11:30
〇(M2)青田 智也1、早坂 明泰1、眞壁 勇夫2、吉田 成輝2、後藤 高寛1、宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住電)
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11:30 〜 11:45
〇澤田 尭廣1、大堀 大介1,2,3、菅原 健太4、岡田 政也4、佐藤 大輔5、栗原 秀行5、寒川 誠二1,2 (1.東北大学流体研、2.東北大AIMR、3.NCTU、4.住友電工、5.昭和電工)
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11:45 〜 12:00
〇隈部 岳瑠1、安藤 悠人1、渡邉 浩崇2、田中 敦之2,3、本田 善央2、出来 真斗1,4、新田 州吾2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大 IMaSS、3.物材機構、4.名大 VBL、5.名大 ARC)
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