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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年9月10日(木) 13:15 〜 18:00 Z23

川西咲子(東北大)、野口宗隆(三菱電機)、俵武志(富士電機)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

▲ [10p-Z23-1] Solution growth of 150 mm SiC under the guidance of machine learning

〇Wancheng YU¹、Can ZHU¹、Yosuke TSUNOOKA²、Wei HUANG²、Yifan DANG²、Shunta HARADA^1,2、Miho TAGAWA^1,2、Toru UJIHARA^1,2,3 (1.IMaSS, Nagoya Univ.、2.Nagoya Univ.、3.GaN-OIL, AIST)

13:30 〜 13:45

▼ [10p-Z23-2] Numerical investigation and optimization of time evolution in the solution during solution growth for SiC crystal

〇(D)Yifan Dang¹、Can Zhu²、Wancheng Yu²、Wei Huang¹、Motoki Ikumi¹、Shunta Harada^1,2、Miho Tagawa^1,2、Toru Ujihara^1,2,3 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya University、2.IMaSS, Nagoya University、3.GaN-OIL, AIST)

13:45 〜 14:00

[10p-Z23-3] 環状シランを用いたSiC薄膜の成膜

〇中村昌幸¹、小林貴之¹、立田利明¹、本山愼一¹ (1.サムコ株式会社)

14:00 〜 14:15

△ [10p-Z23-4] 電極応用に向けた導電性SiC薄膜作製

〇小出崇史¹、金勇²、安原重雄²、竹内和歌奈¹ (1.愛知工業大工、2.Japan Advanced Chemicals Ltd.)

14:15 〜 14:30

[10p-Z23-5] 三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素CVD装置高速クリーニング法

〇林優也¹、間明田巧¹、羽深等¹、石黒暁夫²、石井成明²、醍醐佳明²、伊藤英樹²、水島一郎²、高橋至直³ (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

14:30 〜 14:45

[10p-Z23-6] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度と分布の調整方法

入倉健太¹、林優也¹、〇羽深等¹、高橋至直²、加藤智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

14:45 〜 15:00

[10p-Z23-7] 三フッ化塩素ガスによる大口径炭化ケイ素ウェハエッチング技術

川崎稜平¹、謝林生¹、林優也¹、〇羽深等¹、高橋至直²、加藤智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

15:15 〜 15:45

[10p-Z23-8] [（再講演）第10回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演] SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたSiC結晶欠陥に関する研究

〇小西くみこ¹ (1.日立製作所)

15:45 〜 16:00

[10p-Z23-9] [第42回論文奨励賞受賞記念講演] Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes

〇林将平¹、山下任²、先崎純寿³、宮里真樹⁴、呂民雅⁴、宮島將昭⁴、加藤智久³、米澤喜幸³、児島一聡³、奥村元³ (1.東レリサーチセンター、2.昭和電工、3.産総研、4.富士電機)

16:00 〜 16:15

△ [10p-Z23-10] 4H-SiCにおける表面形状が基底面部分転位対の収縮・拡張に与える影響の解明

〇平能敦雄¹、榊間大輝¹、波田野明日可¹、泉聡志¹ (1.東大工)

16:15 〜 16:30

[10p-Z23-11] 不動の基底面転位から拡張する単一ショックレー型積層欠陥

〇西尾譲司¹、岡田葵¹、太田千春¹、飯島良介¹ (1.東芝研開センター)

16:30 〜 16:45

△ [10p-Z23-12] 熱平衡状態における4H-SiCエピタキシャル層中シングルショックレー型積層欠陥の縮小運動

〇(M1)Do Euihyeon¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

17:00 〜 17:15

△ [10p-Z23-13] 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO₂界面の形成

〇(D)立木馨大¹、金子光顕¹、小林拓真¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

17:15 〜 17:30

[10p-Z23-14] 4H-SiCバルクにおける窒素添加異方性の第一原理計算

〇小松直貴¹、植本光治¹、小野倫也¹ (1.神戸大工)

17:30 〜 17:45

[10p-Z23-15] 第一原理計算を用いた4H-SiC/SiO₂界面での酸化過程の検討：ウェット酸化の影響

〇清水紀志¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹、影島博之²、植松真司³、白石賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大院自然科学、3.慶応大理工、4.名大未来研)

17:45 〜 18:00

[10p-Z23-16] 1000℃以下でのSiC 表面の熱酸化速度

〇室野優太¹、郡山春人¹、遠田義晴¹ (1.弘前大院理工)

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