[10a-Z02-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10a-Z02-8] Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever using carbon doped GaN semi-insulating layer

〇Takehiro Yamada¹, Ando Yuto¹, Watanabe Hirotaka², Furusawa Yuta², Deki Manato^1,5, Tanaka Atushi^2,3, Nitta Shugo², Honda Yoshio², Suda Jun^1,2, Amano Hiroshi^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ, 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.ARC, 5.VBL)

Keywords:PEC etching, cantilever, semi-insulating layer

GaN MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System)は宇宙空間や高温、高圧等の厳環境への応
用が期待されている。基板、構造層ともにGaN 単結晶で構成されたGaN 単結晶MEMS デバイスを作製することで、GaN の物性を最大限に生かし、将来的に厳環境でも動作可能なMEMS デバイスの実現が期待できる。以前の発表でPEC(Photo-Electro-Chemical)エッチングを用いて、GaN 基板上に成長させたInGaN を選択的にエッチングすることで、GaN 単結晶カンチレバーが作製可能であると報告した。本研究では、作製したカンチレバーの共振特性について報告する。