[10a-Z03-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[10a-Z03-3] 液体原料を用いた熱CVDによる窒化タングステン膜の成膜

〇小林 貴之¹、中村 昌幸¹、立田 利明¹、本山 愼一¹ (1.サムコ)

キーワード：窒化タングステン, 熱CVD, ヘキサメチルジシラザン

従来、窒化タングステン（W₂N）の成膜はPVD法やWF₆+NH₃+SiH₄による熱CVD法で行われてきた。今回、我々は爆発性が無く、安価で分子中にSi-N結合を有する液体原料1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザンとWF₆を用いて熱CVDでW₂Nの成膜を試みた。XRD測定によりW₂Nのピークが認められた。また、SEMの断面観察によりアスペクト比7のトレンチへの良好なカバレッジ性も認められた。