[10a-Z03-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[10a-Z03-6] 成膜プロセスにおける成膜前駆体由来の不純物によるSi/SiO₂界面伝導性の予測

〇李 虎¹、稲垣 耕司²、森川 良忠² (1.東京エレクトロン、2.阪大院工)

キーワード：界面, 第一原理計算, 成膜プロセス

積層構造におけるMOS(Metal Oxide Semiconducter)の更なる高集積化と高性能化が求められ，微細加工プロセスにおいて原子レベルの制御が必要となる．本報では，成膜プロセスにおいて，表面・界面をより精密に制御するために，第一原理計算を行い，Si/SiO2界面における炭素(C)等の成膜前駆体由来の不純物が膜の電気特性に与える影響を理論的に予測および考察する．