[10a-Z10-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10a-Z10-1] Deposition of AlN thin film using minimal RF-sputtering machine

〇Masaya Hotta¹, Hiroshi Nishizato¹, Haruki Toonoe², Ikunari Shiba², Takuya Maeda³, Satoshi Fujii³ (1.HORIBA STEC, 2.Yokogawa S. S., 3.N.I.T, Okinawa Coll.)

Keywords:minimal, Sputtering, Aluminum Nitride

ミニマルRFマグネトロンスパッタリング装置の開発を行い、AlN薄膜の形成および膜質評価を行った。SAWデバイスにおいて、その特性を決めるAlN薄膜の(002)面の配向性や表面の平滑性は重要な指標となるため、これらの向上のためのスパッタリング条件を検討した。本発表では、Si基板上に形成したAlN薄膜におけるX線回折、SEM像による評価について報告する。