[10a-Z10-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10a-Z10-2] AlN Film Characteristics Deposited by Minimal Fab Reactive Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Fumito Imura¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-kogyo)

Keywords:minimalfab, AlN reactive sputter, HiPIMS

SAWデバイスへの適用が期待されるAlN膜のミニマルスパッタ装置について検討した。純AlターゲットとAr+N₂混合ガスによる反応性スパッタ（HiPIMS）を用い、各種条件を変化させたときの成膜特性を詳細に調べた。SPM洗浄したSi（100)基板上に、400℃でAlN膜を形成したときのXRDスペクトルから、ｃ軸にかなり優勢に配向している膜が形成されていることを確認した。