[10a-Z10-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10a-Z10-3] Development of Minimal Ion Implantation Tool (III)

〇Noriko Miura¹, Naoki Hashimoto^1,2, Yoshitaka Kitamura^1,2, Fumito Imura³, Kazushige Sato¹, Kazuhiro Koga¹, Yuuki Ishida^1,3, Toshiyuki Oodaira³, Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.MINIMAL, 2.FUJI IMVAC INC., 3.AIST)

Keywords:minimalfab, Ion Implantation

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っているが、現行の装置ではウェハ外周で注入量が著しく減少する、高濃度注入時にシート抵抗値が積算イオン電流値から求められる値に比べて高くなるなどの課題がある。本研究では、これらの課題を克服すべく、ビームスキャン方法によるシート抵抗分布の変化、シート抵抗のアニール条件依存性等の評価を行ったので、その結果について報告する。