[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-1] GaN Through-substrate Via Process for GaN-on-GaN HEMTs using High-rate ICP Etching

〇Naoya Okamoto^1,2, Atsushi Takahashi^1,2, Yuichi Minoura^1,2, Yusuke Kumazaki^1,2, Shiro Ozaki^1,2, Toshihiro Ohki^1,2 (1.Fujitsu Limited, 2.Fujitsu Laboratories)

Keywords:through-substrate via, gallium nitride substrate

今回、エッチングレート1 µm/minを超える高速ICPエッチングを用いたGaN-on-GaN HEMT基板貫通ビアプロセスを開発した。これにより深さ91 µm、直径80 µmのGaN基板ビアホールの形成に成功した。その一方、試料中のほぼ全てのビア内にエッチング残渣が存在することがわかった。詳細は当日報告する。