[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-11] Ultrafast relaxation processes of photoinjected valence holes in silicon

〇Yusuke Sato¹, Jun'nichi Kanasaki¹, Isamu Yamamoto², Junpei Azuma² (1.Osaka city Univ., 2.Saga Univ.)

Keywords:semiconductor, carrier dynamics, time and angle-resolved photoemission spectroscopy

時間分解二光電子差分分光により、シリコンのバルク価電子帯に光注入された正孔系の密度分布をエネルギー・運動量・時間の多次元空間においてイメージ化し、その動的挙動に関する直接的知見を得た。表面近傍に注入された正孔系の密度変化は、バンド内におけるエネルギー緩和過程(時定数800fs)に起因する急激な減衰成分と、拡散(時定数180ps)過程に起因する緩やかな減衰成分により決定されることを明らかにした。