[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-12] An examination of the calculation method of the number of secondary electron emission and the validity evaluation with the measurement of sample current

〇Ryo Nozaki^1,2, Kota Ushimaru^1,2, Daisuke Kobayashi², Tomoyuki Yamamoto¹, Kazuyuki Hirose^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ISAS/JAXA)

Keywords:secondary electron emission, sample current, SiO2/Si

X線照射により固体中で励起された1次電子が散乱されることで発生する2次電子に関する理論研究は広く行われている。本研究では、エネルギー保存則を仮定した、これまでより簡便な2次電子数計算方法を提案し、その妥当性をUVSORにおけるSiO2試料電流測定により評価した。測定結果から、本研究の計算方法は概ね正しいことが確認された。さらに異なる成膜方法の試料でも、電子の脱出深さで整理できることを示唆する結果を得られた。