[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-Z10-14] 100 nG/√Hzレベルを目指したピラー型電極を有する単一Au錘3軸MEMS加速度センサの検討

〇(M2)市川 崇志¹、渥美 賢¹、古賀 達也¹、飯田 慎一²、石原 昇¹、町田 克之¹、益 一哉¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大、2.NTT-AT)

キーワード：MEMS, 加速度センサ, 静電容量型

我々は、小型化、高分解能を目的として単一Au錘3軸静電容量型MEMS加速度センサを検討している。これまで低ノイズ化と感度均一化を目的に新しいピラー型電極を提案してきた。今回、本電極を用いた単一Au錘3軸MEMS加速度センサの試作を行った。測定結果より、ブラウ二アンノイズ及びX、Y、Z軸の感度が135 nG/√Hz、344、426、794 fF/Gであり、従来技術に比して2桁以上の性能向上を確認し、マイクロGレベルの分解能が得られる見通しを得た。