[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-Z10-15] マイクロGレベルセンシングのための金錘1軸差動容量型MEMS加速度センサ

〇(M1)内山 晃宏¹、市川 崇志¹、古賀 達也¹、飯田 慎一²、石原 昇¹、町田 克之¹、益 一哉¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大、2.NTT-AT)

キーワード：MEMS, 加速度センサ, 静電容量型

我々は、小型化、高分解能化のためにAu錘1軸容量型MEMS加速度センサを開発してきた。今回、低ノイズ化を目的として1軸差動型構造を検討した。錘の厚さの最適化を実施した。設計試作により、実験結果から、ブラウニアンノイズと感度は、それぞれ154 nG/\sqrt{Hz}、3.1 pF/Gであった。既報結果 (430 nG/\sqrt{Hz}) よりも低い値が得られ、提案した本デバイスはマイクロGレベルセンシングの実現に有用であることを確認した。