[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-16] MEMSロゴスキーコイル型電流センサの電流経路依存性

〇渡部 善幸¹、加藤 睦人¹、矢作 徹¹、村山 裕紀¹、吉田 賢一²、指田 和之²、池田 克弥²、池田 康亮²、竹森 俊之² (1.山形工技センター、2.新電元)

キーワード：MEMS, ロゴスキーコイル, 電流センサ

TSV構造のロゴスキーコイル型電流センサを作製した。厚さ300µmのシリコンウェハ（比抵抗＞10,000Ωcm）を用い、Φ100µmの貫通穴にNi-Pめっきを形成することで、通電用電流端子、電流検出用旋回コイルを形成した。デバイスは□10mm×厚さ0.3mmで、中央通電部に、□1.2mmエリアに4×4個のTSVを有するもの、□6mmエリアに16×16個のTSVを有するもの、およびロの字に112個のTSVを有するものを作製し、電流経路の違いによる電流検出特性を調べた。。