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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年9月10日(木) 12:30 〜 17:30 Z10

角嶋邦之(東工大)、岡田竜弥(琉球大)

13:00 〜 13:15

[10p-Z10-2] Ge/Siポテンシャル障壁構造を持つボロメータ素子における障壁層の抵抗率とTCRの関係

〇(M2)木谷健太¹、古川昭雄¹ (1.東理大電)

キーワード：ボロメーター, 赤外線センサ