[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-Z10-3] TFT高性能化に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の固相成長

〇今城 利文^1,4、茂藤 健太^3,4、山本 圭介²、末益 崇¹、中島 寛³、都甲 薫^1,4 (1.筑波大院、2.九大院 総合理工、3.九大 GIC、4.学振特別研究員)

キーワード：Ge, 固相成長, 薄膜