[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-Z10-6] 陽極酸化法によるSi(110)面上のSiマイクロワイヤの作製

〇(M1C)栗城 澪¹、王 鶴¹、三平 智宏²、鈴木 俊明¹、吉野 隆幸¹、丹羽 雅昭¹、本橋 光也¹ (1.東京電機大工、2.日本電子)

キーワード：シリコンワイヤ, 転位, 陽極酸化

Si(110)基板は他の面指数の基板にはない結晶構造をもち、さらに、特異な電気的特性を有するために各種デバイスへの応用が期待されている。今回、表面に転位を形成した基板を陽極酸化する方法でSi(110)基板表面にマイクロSiワイヤを作製する方法を検討した。また、比較のために同じ方法でSi(100)及びSi(111)基板上にワイヤを作製した。その結果、Si(110)面上のワイヤは他の結晶面上のワイヤに比べて、その微細構造が異なることが分かった。